型号 | 厂牌 | 批次 | 货期 | 数量 | 价格 | 盘位 | 商户 | 仓库 | 标签 | 备注 | 更新 | |
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卖 | -- | 21 | 5,750 | ¥2.6210 | 贸易 | icHub/九维智造 | 深圳市 | Leistungs-MOSFET, IRFR1205TRPBF, INFINEON Der HEXFET der fünften Generation von International Rectifier nutzt fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Kombination mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power MOSFET bekannt ist, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Features Planare Zellstruktur für breite SOA Optimiert für eine möglichst breite Verfügbarkeit bei den Vertriebspartnern Silizium optimiert für Anwendungen, die unter < 100 kHz schalten Industriestandard-Gehäuse für Oberflächenmontage Standard-Pinout ermöglicht Drop-in-Austausch | 25/10/17 |
商户 - 成立
- 成交数 --
- 开户
- 成交额 --
- 退货 履约后4周
- 简介
- 主营业务
- 行业属性
- 地址
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EAR99 ECCN号 EC0001
- 区域中国
- 级别 NLR
- 描述
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8541290000 编码 CN8541290000H
- 名称耗散功率≥1W的晶体管(不含光敏晶体管 ),三极管
- 国家中国
- 监管
- 检疫
- 进口税率0.00%
- 出口税率0.00%
- 对美税率25.00%
- 描述
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- 父类
- 实物 否
- 描述
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成员 - 成交数 --
- 成交额 --
- 应答率
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