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icHub/九维智造
深圳市
Hochgeschwindigkeits-asynchroner CMOS-Statik-RAM, IS61LV25616AL-10BLI, Integrated Silicon Solution INC Der IS61LV25616AL-10BLI ist ein schneller statischer RAM-Speicher mit 4.194.304 Bit, der in 262.144 Wörter à 16 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsdesigntechniken führt zu einem leistungsstarken Gerät mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (deaktiviert) steht, wechselt das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung wird durch die Verwendung der Chip-Enable- und Output-Enable-Eingänge CE und OE ermöglicht. Das aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf das obere Byte (UB) und das untere Byte (LB). Features CMOS-Betrieb mit geringem Stromverbrauch TTL-kompatible Schnittstellenpegel Drei Zustandsausgänge Datensteuerung für obere und untere Bytes
26/05/06
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PV: 0 成交额: 16,963,200
产品号
001638800
ECCN
3A991.B.2.A
HSCode
8542319099
产品说明书
停产
描述
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48
SKU
MCM24999XS---
类目
包装类型
TRAY
SPQ
1
产地
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净重
0.086克
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商品号
B000045417394
商品名
SRAM
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3A991.B.2.A ECCN号 EC0329
  • 区域中国
  • 级别 NLR
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8542319099 编码 CN8542319099H
  • 名称其他用作处理器及控制器的集成电路
  • 国家中国
  • 监管
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  • 进口税率0.00%
  • 出口税率0.00%
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