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Integrated Silicon Solution INC

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贸易

深圳市

Hochgeschwindigkeits-CMOS-Statik-RAM, IS61WV20488BLL-10MLI, Integrated Silicon Solution INC Der IS61WV20488BLL-10MLI ist ein sehr schneller, stromsparender statischer 8-Bit-CMOS-RAM mit einer Kapazität von 2 Millionen Wörtern. Der IS61WV20488ALL/BLL wird unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsdesigntechniken führt zu einer höheren Leistung und einem geringeren Stromverbrauch des Bauteils. Wenn CE auf HIGH (nicht ausgewählt) steht, wechselt das Bauteil in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Features Hochleistungsfähiger CMOS-Prozess mit geringem Stromverbrauch Mehrere zentrale Strom- und Erdungsstifte für eine höhere Störfestigkeit TTL-kompatible Ein- und Ausgänge Datensteuerung für obere und untere Bytes

26/06/20